射頻導納物位開關
一、產品原理及應用
古大GDAS51 射頻導納物位開關的探測極棒與金屬容器罐壁之間具有電容特性,由此構成一個電橋電路,振蕩電路產生的射頻振蕩信號加在這個電橋上。當被測介質未接觸到探測極棒時,電橋處于平衡狀態,沒有輸出信號,而當被測介質填充到探測極棒與罐壁之間時,由于被測介質的電特性與空氣不同,會引起電橋電路的不平衡,從而產生輸出信號?蓱糜谝后w、固體等復雜過程條件的測量。
二、產品參數
探測組件材料: PPS/不銹鋼 316L
過程溫度: -50~150°C
過程壓力: -1.0~64bar
信號輸出: 一個單刀雙擲繼電器,接點容量 250V/5A
過程連接: G¾A
長度: 0.4~3m; 0.3~10m
供電方式: 24V DC±10% 220V DC±10%
三、 GDAS51系列射頻導納物位開關選型表
GDAS51 | 選型代碼 | 說 明 |
儀表種類 | A | 高精度、高穩定性 |
B | 高穩定性 | |
C | 中等普通工業用 | |
D | 一般工業用 | |
供電電壓 | A | 24V |
B | 220V | |
電纜進線 | M | M20×1.5 |
N | ½NPT | |
T1 | 特殊要求 | |
現場顯示 | A | 帶 |
X | 不帶 | |
T2 | 特殊要求 | |
帶散熱片/過程溫度 | A | 帶/-40 C....+150 °C |
X | 不帶/-40 C....+80 °C | |
T3 | 特殊要求 | |
長度(mm) | A | 四位數字 |
T4 | 特殊要求 |